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T2509N02TOF

更新时间： 2024-09-25 19:46:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	266K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4900A I(T)RMS, 2509000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element,

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T2509N02TOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	标称电路换相断开时间：	200 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	250 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
最大漏电流：	150 mA	通态非重复峰值电流：	46000 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	2509000 A	最高工作温度：	140 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4900 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T2509N02TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T2509N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

200 V

400 V

600 V

200 V

400 V

600 V

250 V

450 V

650 V

4900 A

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

V_DSM

enndaten

^{repetitive peak forward off-state and re}E^verl^se^{e v}k^oltt^agr^ei^ssche Eigenschaften

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

2509 A

3120 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 65 °C

46000 A

42000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

10580 10³ A²s

8820 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

max.

1,22 V

0,96 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 6 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2,5 kA

v_T

0,75 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,072 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

1000 A ≤ i_T≤ 12000 A

8,549E-01

4,318E-05

-3,346E-02

5,182E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

1,5 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

0,2 V

Haltestrom

holding current

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1200 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

150 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A,

di_G/dt = 1 A/µs

1) 600V auf Anfrage / 600V on request

2) Gehäusegrenzstrom I_RSM(case)= 32kA (50Hz Sinushalbwelle) / Peak case non rupture current I_RSM(case)= 32kA (50Hz sinusoidal half waves)

H.Sandmann

date of publication: 2007-09-03

revision:

prepared by:

approved by: J.Przybilla

SZ-MA / 15.09.98, K.-A. Rüther

A 113/98

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T2509N04TOF	INFINEON	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T2509N06TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4900A I(T)RMS, 2509000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 E
T25-10	ETC	获取价格	STA-KON Copper Tube Terminals
T2510N	INFINEON	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T2510N02TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 5350A I(T)RMS, 2510000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 E
T2510N02TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 5350A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element,
T2510N04TOF VT	INFINEON	获取价格	T2510N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度
T2510N06TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 5350A I(T)RMS, 2510000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 E
T2510N06TOF VT	INFINEON	获取价格	T2510N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度
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