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T2510N06TOF VT

更新时间： 2024-11-14 14:56:11

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英飞凌 - INFINEON		/
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10页	286K
描述
T2510N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度 26mm。

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T2510N06TOF VT 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T2510N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

200 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

400 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

600 V 1)

Elektrische Eigenschaften

200 V

400 V

600 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

250 V

450 V

650 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

4900 A

2510 A

3410 A

5350 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

46000 A

42000 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

10580 10³ A²s

8820 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

1,22 V

0,96 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 6 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2,5 kA

v_T

0,75 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,072 mΩ

600 A ≤ i_T≤ 12600 A

8,549E-01

4,318E-05

-3,346E-02

5,182E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

1,5 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

0,2 V

Haltestrom

holding current

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1200 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

150 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

1) 600V auf Anfrage / 600V on request

H.Sandmann

date of publication: 2008-09-15

prepared by:

revision:

3.0

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T2510N06TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 5350A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element,
T2511S	BEL	获取价格	Telecom Transformer
T2512	VISHAY	获取价格	RESISTOR, THIN FILM, 2 W, 1 - 20 %, 300 ppm, 0.18 ohm - 10 ohm, SURFACE MOUNT, 2512, CHIP,
T25-12	ETC	获取价格	STA-KON Copper Tube Terminals
T2512BH	ETC	获取价格	TRIAC\|200V V(DRM)\|25A I(T)RMS\|TO-220
T2512D	STMICROELECTRONICS	获取价格	STANDARD TRIACS
T2512DH	STMICROELECTRONICS	获取价格	STANDARD TRIACS
T2512DKS	STMICROELECTRONICS	获取价格	400V, 25A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
T2512M	STMICROELECTRONICS	获取价格	STANDARD TRIACS
T2512MH	STMICROELECTRONICS	获取价格	STANDARD TRIACS

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