是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | DISK BUTTON, O-XXDB-X3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.74 |
标称电路换相断开时间: | 200 µs | 配置: | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率: | 1000 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 250 mA |
最大直流栅极触发电压: | 1.5 V | 最大维持电流: | 300 mA |
JESD-30 代码: | O-XXDB-X3 | 最大漏电流: | 150 mA |
通态非重复峰值电流: | 46000 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最大通态电流: | 2510000 A |
最高工作温度: | 140 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 5350 A |
断态重复峰值电压: | 200 V | 重复峰值反向电压: | 200 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | YES |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UNSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
T2510N02TOFVTXPSA1 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 5350A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, | |
T2510N04TOF VT | INFINEON |
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T2510N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳,外壳直径 75mm,高度 | |
T2510N06TOF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 5350A I(T)RMS, 2510000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 E | |
T2510N06TOF VT | INFINEON |
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T2510N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳,外壳直径 75mm,高度 | |
T2510N06TOFVTXPSA1 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 5350A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, | |
T2511S | BEL |
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Telecom Transformer | |
T2512 | VISHAY |
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RESISTOR, THIN FILM, 2 W, 1 - 20 %, 300 ppm, 0.18 ohm - 10 ohm, SURFACE MOUNT, 2512, CHIP, | |
T25-12 | ETC |
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STA-KON Copper Tube Terminals | |
T2512BH | ETC |
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TRIAC|200V V(DRM)|25A I(T)RMS|TO-220 | |
T2512D | STMICROELECTRONICS |
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STANDARD TRIACS |