Datasheet > T1451N52TOHXPSA1

T1451N52TOHXPSA1

更新时间： 2024-01-22 22:37:57

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
11页	196K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3610A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element,

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

T1451N52TOHXPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	40 weeks
风险等级：	5.69	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	350 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大均方根通态电流：	3610 A	断态重复峰值电压：	5200 V
重复峰值反向电压：	5200 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1451N52TOHXPSA1 数据手册

Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1451N

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Charakteristische Werte / characteristic values

Freiwerdezeit

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

450

µs

t_q

typ.

circuit commutated turn-off time

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

Thermische Eigenschaften

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

4.Kennbuchstabe / 4^thletter O

Mechanische Eigenschaften

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

T_vj= T_{vj max}

Q_r

max.

15 mAs

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0,8V_RRM

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

I_RM

320

T_vj= T_{vj max}

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0,8V_RRM

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

R_thJC

max.

9,7 K/kW

9,0 K/kW

17,0 K/kW

19,5 K/kW

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

R_thCH

Übergangs-Wärmewiderstand

max.

2,5 K/kW

thermal resistance, case to heatsink

5,0

K/kW

125 °C

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Seite 4

page 4

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

36...52 kN

Anpresskraft

clamping force

Steueranschlüsse

control terminals

DIN 46244

Gate

Kathode /Cathode

A 4,8x0,8

A 6,3x0,8

typ.

1700 g

Gewicht

weight

33 mm

50 m/s²

Kriechstrecke

creepage distance

f = 50 Hz

Schwingfestigkeit

vibration resistance

Revision: 8.0

Seite/page: 3/11

Date of Publication: 2011-05-02

1 234 5 6 7...11

下载PDF

与T1451N52TOHXPSA1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T-1453	RHOMBUS-IND	Mini Surface Mount Transformer	获取价格
T145331G	TTELEC	Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks	获取价格
T145331J	TTELEC	Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks	获取价格
T145471G	TTELEC	Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks	获取价格
T145471J	TTELEC	Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks	获取价格
T-1462G	RHOMBUS-IND	ADSL Transformer	获取价格