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T1451N52TOHXPSA1

更新时间： 2024-02-19 01:07:43

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
11页	196K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3610A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element,

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T1451N52TOHXPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	40 weeks
风险等级：	5.69	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	350 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大均方根通态电流：	3610 A	断态重复峰值电压：	5200 V
重复峰值反向电压：	5200 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1451N

3000

2500

2000

1500

1000

500

Durchlassverluste

typ.

max.

0,2

0,4

0,6

0,8

1,2

1,4

1,6

1,8

v_T[V]

Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic i_T= f(v_T)

T_vj= T_{vj max}

Revision: 8.0

Seite/page: 6/11

Date of Publication: 2011-05-02

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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