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T1258N02TOF

更新时间： 2024-02-17 19:06:24

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描述
Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 200V V(DRM)

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T1258N02TOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.84
标称电路换相断开时间：	200 µs	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	250 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
最大漏电流：	80 mA	通态非重复峰值电流：	23000 A
端子数量：	4	最大通态电流：	1600000 A
最高工作温度：	140 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
断态重复峰值电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1258N02TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T1258N

Phase Control Thyristor

2400

180°

Durchlassverluste

120°

2000

90°

0°

180°

60°

1600

θ = 30°

1200

800

400

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

I_TAV[A]

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P_TAV= f(I_TAV

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

)

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

140

120

100

0°

180°

θ = 30°

60°

90°

1200

120°

1400

180°

200

400

600

800

1000

_TAV[A]

1600

1800

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T_C= f(I_TAV

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

A 513 MT3 / 21.10.87, K.-A. Rüther

A 22/87

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