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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 标称电路换相断开时间： | 200 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 1000 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 250 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.4 V | 最大维持电流： | 300 mA |
| 最大漏电流： | 80 mA | 通态非重复峰值电流： | 20000 A |
| 最大通态电压： | 1.5 V | 最大通态电流： | 1260000 A |
| 最高工作温度： | 140 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 断态重复峰值电压： | 200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| T1258N400TOC | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 400V V(DRM), |
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| T1258N400TOF | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 400V V(DRM), |
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| T1258N600TOC | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 600V V(DRM), |
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| T1258N600TOF | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 600V V(DRM), |
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| T1258N700TOC | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 700V V(DRM), |
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| T1258N700TOF | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 700V V(DRM), |
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