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T1258N

更新时间： 2024-02-07 23:53:25

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EUPEC		栅极
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10页	274K
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Phase Control Thyristor

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T1258N 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	250 mA
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	2500 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1258N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T1258N

Phase Control Thyristor

2400

180°

Durchlassverluste

120°

2000

90°

0°

180°

60°

1600

θ = 30°

1200

800

400

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

I_TAV[A]

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P_TAV= f(I_TAV

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

)

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

140

120

100

0°

180°

θ = 30°

60°

90°

1200

120°

1400

180°

200

400

600

800

1000

_TAV[A]

1600

1800

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T_C= f(I_TAV

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

A 513 MT3 / 21.10.87, K.-A. Rüther

A 22/87

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与T1258N相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T1258N02TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 200V V(DRM)	获取价格
T1258N04TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 400V V(DRM)	获取价格
T1258N06TOF(VT)	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier,	获取价格
T1258N06TOFHOSA1	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
T1258N200TOC	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 200V V(DRM),	获取价格
T1258N200TOF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 200V V(DRM),	获取价格