5秒后页面跳转
T1258N PDF预览

T1258N

更新时间: 2024-01-22 14:11:04
品牌 Logo 应用领域
EUPEC 栅极
页数 文件大小 规格书
10页 274K
描述
Phase Control Thyristor

T1258N 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:250 mA
JESD-30 代码:O-CEDB-N2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:2500 A
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

T1258N 数据手册

 浏览型号T1258N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号T1258N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T1258N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T1258N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T1258N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号T1258N的Datasheet PDF文件第7页 
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T1258N  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC  
Kühlung /  
Pos. n  
2
3
5
6
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
-
-
14
Cooling  
Rthn [°C/W] 0,00160  
0,00260  
0,00340  
0,00260  
0,00340  
0,00260  
0,00340  
0,00240  
0,01270  
0,00240  
0,01270  
0,00240  
0,01270  
0,01230  
0,07220  
0,01230  
0,07220  
0,01230  
0,07220  
0,01110  
0,52300  
0,03710  
2,30000  
0,04610  
1,87000  
beidseitig  
two-sided  
0,00064  
Rthn [°C/W] 0,00160  
0,00064  
Rthn [°C/W] 0,00160  
0,00064  
τn [s]  
anodenseitig  
anode-sided  
τn [s]  
kathodenseitig  
catode-sided  
τn [s]  
nmax  
-t  
τn  
=
ZthJC  
Rthn 1 e  
Analytische Funktion / Analytical function:  
Σ
n=1  
0,07  
0,06  
0,05  
0,04  
0,03  
0,02  
0,01  
0,00  
c
a
b
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC /Transient thermal impedance for DC  
thJC = f(t)  
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling  
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling  
A 513 MT3 / 21.10.87, K.-A. Rüther  
A 22/87  
Seite/page  
4/10  

与T1258N相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
T1258N02TOF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 200V V(DRM)

获取价格

T1258N04TOF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 400V V(DRM)

获取价格

T1258N06TOF(VT) INFINEON Silicon Controlled Rectifier,

获取价格

T1258N06TOFHOSA1 INFINEON Silicon Controlled Rectifier

获取价格

T1258N200TOC VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 200V V(DRM),

获取价格

T1258N200TOF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 200V V(DRM),

获取价格