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T1258N02TOF

更新时间： 2024-01-02 17:55:16

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 200V V(DRM)

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T1258N02TOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.84
标称电路换相断开时间：	200 µs	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	250 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
最大漏电流：	80 mA	通态非重复峰值电流：	23000 A
端子数量：	4	最大通态电流：	1600000 A
最高工作温度：	140 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
断态重复峰值电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1258N02TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1258N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

200 V

400 V

600 V

200 V

400 V

600 V

250 V

450 V

650 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

enndaten

^{repetitive peak forward off-state and re}E^verl^se^{e v}k^oltt^agr^ei^ssche Eigenschaften

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

2500 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

1258 A

1600 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 67 °C

23000 A

20000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

2650 10³ A²s

2000 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

120 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

max.

1,50 V

1,15 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 4,5 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1 kA

v_T

1,00 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,10 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

500 A ≤ i_T≤ 6000 A

1,132E+00

5,833E-05

-3,109E-02

5,426E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

1,5 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

0,2 V

Haltestrom

holding current

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1200 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

80 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2006-09-06

prepared by:

revision:

approved by: J.Przybilla

A 513 MT3 / 21.10.87, K.-A. Rüther

A 22/87

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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