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T1220N28TOF

更新时间： 2024-12-02 09:25:47

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英飞凌 - INFINEON		/
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10页	284K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2740A I(T)RMS, 1220000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element

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T1220N28TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1220N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

2000

2200

2400 V

2600 V

2800 V

2400 V

2600 V

2800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

2000

2200

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

2100

2300

2500 V

2700 V

2900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

2625 A

1220 A

1740 A

2740 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

25000 A

22500 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

3125 10³ A²s

2531 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,13 V

1,38 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3,5 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1,0 kA

v_T

1,0 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,275 mΩ

300 A ≤ i_T≤ 6100 A

9,687E-01

2,165E-04

-9,652E-03

8,131E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max.

2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

500 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 2500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

200 mA

4,5 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2008-09-19

prepared by:

revision:

1.0

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC, 2008-09-19, H.Sandmann

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T1220-N78-5.0-SM-50.0MHZ	EUROQUARTZ	获取价格	CMOS Output Clock Oscillator,
T1220-N78-5.0-SM-FREQ	EUROQUARTZ	获取价格	CMOS Output Clock Oscillator,
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T1220-T17-5.0-SM-10.000MHZ	EUROQUARTZ	获取价格	Oscillator, 10MHz Min, 50MHz Max, 10MHz Nom,
T1220-T17-5.0-SM-10.0MHZ	EUROQUARTZ	获取价格	CMOS Output Clock Oscillator,
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