Datasheet > T1218N20KOF

T1218N20KOF

更新时间： 2024-12-01 07:26:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
12页	333K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1220000mA I(T), 2000V V(DRM),

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

T1218N20KOF 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.23	标称电路换相断开时间：	350 µs
关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us	最大直流栅极触发电流：	250 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	最大维持电流：	500 mA
最大漏电流：	200 mA	通态非重复峰值电流：	25000 A
最大通态电压：	2.13 V	最大通态电流：	1220000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
断态重复峰值电压：	2000 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T1218N20KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1218N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

2000

2400

2200 V

2600 V

2800 V

2200 V

2600 V

2800 V

2300 V

2700 V

2900 V

2625 A

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

_repeK_titie_venn_ped_aa_kt_fe_on_{rward off-state and reverse voltages}

Elektrische Eigenschaften

2000

2400

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

2100

2500

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

1222 A

1671 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 61 °C

25000 A

22500 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

3125 10³ A²s

2531 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

2,13 V

T_vj= T_{vj max}, i_TM= 3,5 kA

T_vj= T_{vj max}, i_TM= 1,0 kA

v_T

max. 1,375 V

1,05 V

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,33 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

9,687E-01

2,165E-04

-9,652E-03

8,131E-03

v_T= A + B i_T+ C Ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

max.

500 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 2500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

200 mA

4,5 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

M.Droldner

date of publication: 01.01.04

prepared by:

revision:

approved by: M.Leifeld

BIP AC / 20.03.03, M.Droldner

A01/03

Seite/page

1/12

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与T1218N20KOF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1218N22KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1220000mA I(T), 2200V V(DRM),
T1218N24KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
T1218N26KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1220000mA I(T), 2600V V(DRM),
T1218N28KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
T1219	PULSE	获取价格	TELECOMMUNICATIONS PRODUCTS
T1219N20TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1670900mA I(T), 2000V V(DRM)
T1219N22TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2625A I(T)RMS, 1670900mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1
T1219N24TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2625A I(T)RMS, 1670900mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1
T1219NL	PULSE	获取价格	T1/E1/CEPT/ISDN-PRI INTERFACE MODULES
T1219NLT	PULSE	获取价格	T1/E1/CEPT/ISDN-PRI INTERFACE MODULES

与T1218N20KOF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T1218N20KOF

T1218N20KOF 技术参数

T1218N20KOF 数据手册

与T1218N20KOF相关器件

与T1218N20KOF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T1218N20KOF

T1218N20KOF 技术参数

T1218N20KOF 数据手册

与T1218N20KOF相关器件

与T1218N20KOF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？