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T0500NB25E

更新时间： 2024-11-20 19:55:39

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力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	318K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 500A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel,

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T0500NB25E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.29
最大集电极电流 (IC)：	500 A	集电极-发射极最大电压：	2500 V
门极发射器阈值电压最大值：	6.3 V	门极-发射极最大电压：	20 V
最高工作温度：	125 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2600 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
Base Number Matches：	1

T0500NB25E 数据手册

Date:- 5 Sep, 2011

Data Sheet Issue:- P1

WESTCODE

An IXYS Company

Prospective Data

Insulated Gate Bi-Polar Transistor

Type T0500NB25E

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_CES

Collector – emitter voltage

2500

1250

±20

V_{DC link}

V_GES

Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate.

Peak gate – emitter voltage

MAXIMUM

LIMITS

RATINGS

UNITS

I_C(DC)

I_CRM

I_ECO

P_MAX

T_jop

DC collector current, IGBT

500

Repetitive peak collector current, t_p=1ms, IGBT

Maximum reverse emitter current, t_p=100µs, (note 2 & 3)

Maximum power dissipation, IGBT (Note 2)

Operating temperature range.

1000

500

2.6

°C

-40 to +125

T_stg

Storage temperature range.

Notes: -

1) Unless otherwise indicated T_j= 125ºC.

2) T_sink= 25°C, double side cooled.

3) The use of an anti-parallel diode is recommended.

Prospective Data Sheet T0500NB25E Issue P1

Page 1 of 6

September, 2011

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