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T-12077G

更新时间： 2024-11-29 07:04:07

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RHOMBUS-IND		变压器
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1页	18K
描述
Wideband Impedance Matching Transformer

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T-12077G 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
高度：	5.08 mm	插入损耗：	3 dB
长度：	8 mm	安装特点：	SURFACE MOUNT
包装方法：	TUBE	物理尺寸：	L8XB6.86XH5.08 (mm)
初级电感：	780 µH	表面贴装：	YES
变压器类型：	RF TRANSFORMER	匝数比 (Np:Ns)：	1:1CT
宽度：	6.86 mm	Base Number Matches：	1

T-12077G 数据手册

Wideband Impedance Matching Transformer

Impedance Ratio ( + 5% )

1 : 1CT

Electrical Specifications at 25^OC

Parameter

Flammability: Materials used in

the production of these units

meet requirements of UL94-VO

and IEC 695-2-2 needle flame

test.

Min.

780

Max.

Units

Inductance

µH

LeakageInductance

0.7

µH

Capacitance(C_W/W

)

ohms

PrimaryDCResistance

SecondaryDCResistance

Insertion loss (.005 - 100 MHz)

Isolation

0.32

3.0

Parts shipped in anti-static

tubes. 55 pieces per tube

500

V_RMS

Available on

Tape & Reel

.270

(6.86)

TYP.

Physical Dimensions

inches (mm)

.018

(0.46)

TYP.

Schematic Diagram

.315

(8.00)

MAX.

.200

(5.08)

MAX.

.010

(0.25)

TYP.

.286

(7.27)

TYP.

.020

(0.38)

.038

.100

TYP.

(0.96) (2.54)

TYP.

.425 (10.80)

.405 (10.29)

T-12077G

RHOMBUS P/N:

CUST P/N:

01/21/99

NAME:

DATE:

SHEET:

1 OF 1

15801 Chemical Lane, Huntington Beach, CA 92649

Phone: (714) 898-0960

Rh om bus

In du st ries In c.

FAX: (714) 896-0971

Tra ns formers & Ma gnetic Products

www.rhombus-ind.com

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与T-12077G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1207NL	PULSE	获取价格	T1/E1/CEPT/ISDN-PRI INTERFACE MODULES
T1207T	PULSE	获取价格	T1/E1/CEPT/ISDN-PRI INTERFACE MODULES
T1208	PULSE	获取价格	TELECOMMUNICATIONS PRODUCTS
T1209	PULSE	获取价格	TELECOMMUNICATIONS PRODUCTS
T1209N	ETC	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTORS
T1209N1200TOC	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1800000mA I(T), 1200V V(DRM),
T1209N1200TOF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1200000mA I(T), 1200V V(DRM),
T1209N1400TOC	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1800000mA I(T), 1400V V(DRM),
T1209N1400TOF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1200000mA I(T), 1400V V(DRM),
T1209N1600TOF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1200000mA I(T), 1600V V(DRM),