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SYS161000FKX-70

更新时间: 2024-02-05 14:28:53
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
7页 369K
描述
x16 SRAM Module

SYS161000FKX-70 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:DMA
包装说明:DIP, DIP44,.6针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.37
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-T44JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP44,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.008 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.215 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SYS161000FKX-70 数据手册

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