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SVGQ109R5NAD

更新时间: 2024-03-03 10:08:31
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
10页 424K
描述
TO252-2L

SVGQ109R5NAD 数据手册

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士兰微电子  
SVGQ109R5NAD 说明书  
典型特性曲线(续)  
7. 电容特性  
8. 电荷量特性  
12  
10000  
1000  
100  
10  
VDS=80V  
VDS=50V  
VDS=20V  
10  
8
6
4
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)  
Coss=Cds+Cgd  
Crss=Cgd  
Ciss  
Coss  
Crss  
2
注:  
1. VGS=0V  
2. f=1MHz  
注: ID=39A  
0
1
0
20  
40  
60  
80  
100  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
漏源电压 - VDS(V)  
总栅极电荷 - QG (nC)  
9. 击穿电压 vs. 温度特性  
10. 导通电阻 vs. 温度特性  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
注:  
1. VGS=0V  
2. ID=250uA  
注:  
1. VGS=10V  
2. ID=39A  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
结温 - TJ(°C)  
结温 - TJ(°C)  
11. 最大安全工作区域  
12. 耗散功率 vs. 温度  
103  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
10μs  
102  
101  
100μs  
1ms  
10ms  
DC  
此区域工作受限于RDS(ON)  
100  
注:  
1.ID=f(VDS);TC=25°C;  
2.单脉冲  
10-1  
10-1  
100  
漏源电压 – VDS (V)  
101  
102  
103  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
温度 - TC(°C)  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.1  
10 页 第 5 页  
http: //www.silan.com.cn  

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