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SVGQ109R5NAD

更新时间： 2024-03-03 10:08:31

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士兰微 - SILAN		/
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10页	424K
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TO252-2L

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SVGQ109R5NAD 数据手册

士兰微电子

SVGQ109R5NAD 说明书

典型特性曲线

图 2. 传输特性

图 1. 输出特性

300

250

200

150

100

1000

-55°C

25°C

V_GS=3.0V

V_GS=3.5V

V_GS=4.0V

V_GS=5.0V

V_GS=6.0V

V_GS=7.0V

V_GS=10V

150°C

100

注：

1.250µs 脉冲测试

2.T_J=25°C

注：

1.250µs 脉冲测试

2.V_DS=5V

0.1

栅源电压 - V_GS(V)

漏源电压 - V_DS(V)

图 3. 导通电阻 vs. 漏极电流

图 4. 导通电阻 vs. 栅源电压

V_GS=4.5V

V_GS=10V

T_J=25°C

T_J=150°C

注：T_J=25°C

注：I_D=39A

100

栅源电压 - V_GS(V)

漏极电流 - I_D(A)

图 5. 开启电压 vs. 温度特性

图 6. 体二极管正向压降 vs. 源极电流和温度

1000

-55°C

25°C

150°C

100

注：

1. V_GS=0V

2. 250µs脉冲测试

注：I_D=250µA

0.1

-100

-50

100

150

200

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

源漏电压 - V_SD(V)

结温 - T_J(°C)

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 10 页第 4 页

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