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SVGQ041R7NL5V-2HS

更新时间: 2024-04-09 19:02:40
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士兰微 - SILAN 光电二极管
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10页 406K
描述
PDFN5*6

SVGQ041R7NL5V-2HS 数据手册

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士兰微电子  
SVGQ041R7NL5V-2HS 说明书  
极限参数(除非特殊说明,TJ=25C)  
参数值  
参数  
符号  
测试条件  
单位  
最小值  
典型值  
最大值  
--  
漏源电压  
栅源电压  
VDS  
VGS  
--  
40  
-20  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
V
V
--  
20  
160  
113  
640  
115.4  
A
TC=25C  
TC=100C  
TC=25C  
TC=25C  
漏极电流  
(注 1)  
ID  
--  
A
漏极脉冲电流  
耗散功率  
(注 2)  
(注 3)  
IDM  
PD  
--  
A
--  
W
L=0.1mHVDD=32VRG=25,  
单脉冲雪崩能量  
EAS  
--  
--  
192  
mJ  
开始温度TJ=25C  
单脉冲雪崩电流  
工作结温范围  
贮存温度范围  
IAS  
TJ  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
62  
A
-55  
-55  
175  
175  
C  
C  
Tstg  
热特性  
参数值  
参数  
符号  
测试条件  
单位  
最小值  
典型值  
最大值  
1.3  
芯片对表面热阻,底部  
芯片对环境的热阻  
焊接温度(SMD)  
RθJC  
RθJA  
Tsold  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
C/W  
C/W  
C  
--  
50  
回流焊:10±1 sec3times  
260  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.3  
10页 第2页  

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