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SUR23N06-31L-E3

更新时间： 2024-01-06 15:23:35

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	71K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUR23N06-31L-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	23 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SUR23N06-31L-E3 数据手册

SUR23N06-31L

Vishay Siliconix

N-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET, Logic Level

FEATURES

•

PRODUCT SUMMARY

TrenchFET^®Power MOSFET

175 °C Junction Temperature

_D(A)^a

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

•

RoHS

0.031 at V_GS= 10 V

0.045 at V_GS= 4.5 V

COMPLIANT

19.5

TO-252

Reverse Lead DPAK

Drain Connected to Tab

Top View

Ordering Information:

SUR23N06-31L-E3 (Lead (Pb)-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_GS

Gate-Source Voltage

T_C= 25 °C

Continuous Drain Current (T_J= 175 °C)^b

I_D

T_C= 100 °C

16.5

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

Avalanche Current

I_AR

E_AR

Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle ≤ 1 %)

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

100

P_D

Maximum Power Dissipation

3^a

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 sec

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

Steady State

°C/W

R_thJC

Maximum Junction-to-Case

3.2

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board, t ≤ 10 sec.

Document Number: 74405

S-62032-Rev. A, 16-Oct-06

www.vishay.com

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