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STZ150NF55T

更新时间： 2024-02-06 17:05:35

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	77K
描述
40A, 55V, 0.009ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, P2PAK-5

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STZ150NF55T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STZ150NF55T 数据手册

STZ150NF55T

N-CHANNEL TEMPERATURE SENSING 55V - P²PAK

SAFeFET™ MOSFET

DATA BRIEF

General features

Package

Type

DSSS

DS(on)

STZ150NF55T

55 V

<9 mΩ

40 A(1)

■ INTEGRATED ESD PROTECTION

■ INTEGRATED TEMPERATURE SENSING

■ STANDARD VGS(th) LEVEL

P²PAK

■ 175°C JUNCTION TEMPERATURE

Internal schematic diagram

Applications

■ HIGH CURRENT SWITCHING

Order codes

Sales Type

Marking

Package

Packaging

STZ150NF55T

Z150NF55T

P²PAK

TAPE & REEL

Rev 1

1/7

July 2005

www.st.com

12 3 4 5 6 7

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