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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW45NM60D
STW45NM60D PDF预览

STW45NM60D

更新时间： 2024-09-30 13:14:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
8页 258K
描述
45A, 600V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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STW45NM60D 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.74Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：850 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW45NM60D 数据手册

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STW45NM60  
N-CHANNEL 600V - 0.09Ω - 45A TO-247  
MDmesh™Power MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW45NM60  
600V  
< 0.11Ω  
45 A  
TYPICAL R (on) = 0.09Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
3
2
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH  
MANUFACTURING YIELDS  
1
TO-247  
DESCRIPTION  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizontal  
layout. The resulting product has an outstanding low  
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent  
avalanche characteristics. The adoption of the  
Company’s proprietary strip technique yields overall  
dynamic performance that is significantly better than  
that of similar competition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing  
system miniaturization and higher efficiencies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
600  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
600  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±30  
V
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
45  
A
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
28  
A
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
180  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
417  
W
C
Derating Factor  
3.33  
15  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1) I ≤45A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
SD  
DD  
August 2002  
1/8  
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