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STV4NA80

更新时间: 2024-02-14 11:47:56
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 212K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | SMT

STV4NA80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SM-10Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YESBase Number Matches:1

STV4NA80 数据手册

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