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STT3P2UH7

更新时间： 2024-09-22 15:53:11

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	451K
描述
P-channel 20 V, 0.087 Ohm typ., 3 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package

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STT3P2UH7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STT3P2UH7 数据手册

STT3P2UH7

P-channel 20 V, 0.087 Ω typ., 3 A STripFET™ H7

Power MOSFET in a SOT23-6L package

Datasheet - production data

Features

Order code

V_DS

R_DS(on)max

I_D

STT3P2UH7

20 V

0.1 Ω @ 4.5

3 A



Very low on-resistance

Very low capacitance and gate charge

High avalanche ruggedness

SOT23-6L

Applications



Switching applications

Figure 1: Internal schematic diagram

Description

This P-channel Power MOSFET utilizes the

STripFET H7 technology with a trench gate

structure combined with extremely low on-

resistance. The device also offers ultra-low

capacitances for higher switching frequency

operations.

Table 1: Device summary

Marking Package

3L2U SOT23-6L

Order code

Packaging

STT3P2UH7

Tape and reel

For the P-channel Power MOSFET, current and voltage polarities are reversed.

September 2016

DocID025027 Rev 3

1/13

www.st.com

This is information on a product in full production.

12 3 4 5 6 7...13

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