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STPS160H100TV

更新时间： 2024-09-27 22:34:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS160H100TV 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：ISOTOP包装说明：ISOTOP-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：2.02其他特性：LOW NOISE
应用：HIGH VOLTAGE POWER外壳连接：ISOLATED
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.87 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X4最大非重复峰值正向电流：1000 A
元件数量：2相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：80 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：40 µA反向测试电压：100 V
子类别：Other Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS160H100TV 数据手册

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STPS160H100TV  
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 80 A  
100 V  
K2  
K1  
A2  
A1  
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.68 V  
FEATURES AND BENEFITS  
NEGLIGIBLESWITCHING LOSSES  
HIGH JUNCTION TEMPERATURE CAPABILITY  
LOW LEAKAGE CURRENT  
GOOD TRADE OFF BETWEEN LEAKAGE  
CURRENT AND FORWARD VOLTAGE DROP  
AVALANCHERATED  
LOW INDUCTION PACKAGE  
ISOTOPTM  
INSULATEDPACKAGE:  
InsulatingVoltage = 2500 V(RMS)  
Capacitance= 45 pF  
DESCRIPTION  
High voltage dual Schottky rectifier designed  
for high frequency telecom and computer  
Switched Mode Power Supplies and other  
power converters.  
Packaged in ISOTOP, this device is intended for  
use in medium voltage operation, and particu-  
larly, in high frequency circuitries where low  
switching losses and low noise are required.  
ABSOLUTE RATINGS  
Symbol  
(limiting values, per diode)  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
V
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
IF(RMS) RMS forward current  
180  
A
IF(AV)  
Average forward current  
Tc = 110°C  
δ = 0.5  
Per diode  
Per device  
80  
160  
A
IFSM  
IRRM  
IRSM  
Tstg  
Surge non repetitiveforward current  
Repetitive peak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Storage temperaturerange  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp = 2 µs square F = 1kHz  
tp = 100 µs square  
1000  
2
A
A
A
10  
°
-55 to+150  
150  
C
Tj  
Maximum operatingjunction temperature*  
Critical rate of rise of reverse voltage  
°C  
µ
V/ s  
dV/dt  
10000  
dPtot  
dTj  
1
<
* :  
thermal runawayconditionfor a diode on its own heatsink  
Rth(j−a)  
July 1999 - Ed: 2A  
1/4  
1234

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