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STPS15L60CB-TR

更新时间： 2024-09-26 22:18:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管测试PC
页数 文件大小 规格书
4页 70K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS15L60CB-TR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：DPAK包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.29
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：180378Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：DPAK (TO-252)_5Samacsys Released Date：2015-07-14 08:30:56
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.82 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：75 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：7.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：200 µA反向测试电压：60 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

STPS15L60CB-TR 数据手册

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®
STPS15L60CB  
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 7.5 A  
60 V  
A1  
K
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.52 V  
A2  
K
FEATURES AND BENEFITS  
■
■
■
■
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP  
LOW THERMAL RESISTANCE  
A2  
A1  
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
DPAK  
Dual center tab Schottky rectifier suited for Switch  
Mode Power Supply and high frequency DC to DC  
converters.  
Package in DPAK, this device is intended for use  
in low voltage, high frequency inverters,  
free-wheeling and polarity protection applications.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
60  
Unit  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
10  
A
RMS forward current  
7.5  
Average forward current  
Tc = 135°C  
δ = 0.5  
Per diode  
A
15  
75  
Per device  
IFSM  
IRRM  
PARM  
Tstg  
A
A
Surge non repetitive forward current  
Peak repetitive reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp=2 µs square F=1kHz  
tp = 1µs Tj = 25°C  
1
3700  
W
- 65 to + 175  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise reverse voltage  
dV/dt  
10000  
dPtot  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed : 2A  
1/4  
1234

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STPS15L60CB-TR 替代型号

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