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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP13NK50Z
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STP13NK50Z

更新时间： 2024-02-08 18:56:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
15页 519K
描述
N-channel 500 V, 0.40 Ω, 11 A TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET

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STP13NK50Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：240 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.48 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP13NK50Z 数据手册

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STx13NK50Z  
Electrical ratings  
1
Electrical ratings  
Table 2.  
Symbol  
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Value  
TO-220, TO-247  
Unit  
TO-220FP  
VDS  
VGS  
Drain-source voltage (VGS = 0)  
Gate-source voltage  
500  
30  
V
V
Drain current (continuous)  
at TC = 25 °C  
ID  
11  
11(1)  
A
A
Drain current (continuous)  
at TC=100 °C  
ID  
6.93  
6.93(1)  
(2)  
IDM  
Drain current (pulsed)  
44  
44(1)  
30  
A
PTOT  
Total dissipation at TC = 25 °C  
Derating factor  
140  
1.12  
W
0.24  
W/°C  
V/ns  
dv/dt(3)  
VISO  
Peak diode recovery voltage slope  
4.5  
Insulation withstand voltage (RMS)  
from all three leads to external heat sin  
2500  
V
(t=1 s;TC= 25 °C)  
TJ  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
-55 to 150  
°C  
Tstg  
1. Limited only by maximum temperature allowed  
2. Pulse width limited by safe operating area  
3. ISD ≤ 11 A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ 80% V(BR)DSS  
Table 3.  
Symbol  
Thermal data  
Parameter  
Value  
Unit  
TO-220  
TO-247  
TO-220FP  
Rthj-case Thermal resistance junction-case max  
0.89  
4.17  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance junction-ambient  
Rthj-a  
max  
62.5  
50  
62.5  
Maximum lead temperature for  
soldering purpose  
Tl  
300  
°C  
Table 4.  
Symbol  
Avalanche characteristics  
Parameter  
Value  
Unit  
Avalanche current, repetitive or not-repetitive  
(pulse width limited by Tj Max)  
IAR  
11  
A
Single pulse avalanche energy  
EAS  
240  
mJ  
(starting TJ = 25 °C, ID = IAR, VDD= 50 V)  
3/15  
1234567...15

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