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Datasheet > 电源电路 > 电源管理电路> STM6601AU2DDM6F
STM6601AU2DDM6F PDF预览

STM6601AU2DDM6F

更新时间： 2024-01-01 19:55:25
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 电源电路电源管理电路光电二极管控制器
页数 文件大小 规格书
51页 1291K
描述
Smart push-button on/off controller with Smart ResetTM and power-on lockout

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STM6601AU2DDM6F 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：DFN包装说明：VSON, SOLCC12,.08,20
针数：12Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.64
Is Samacsys：N其他特性：RESET THRESHOLD VOLTAGE IS 3.5V
可调阈值：NO模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUIT
JESD-30 代码：R-PDSO-N12JESD-609代码：e4
长度：3 mm湿度敏感等级：1
信道数量：1功能数量：1
端子数量：12最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSON封装等效代码：SOLCC12,.08,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.8 mm
子类别：Power Management Circuits最大供电电流 (Isup)：0.008 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.6 V
标称供电电压 (Vsup)：2 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：2 mmBase Number Matches：1

STM6601AU2DDM6F 数据手册

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Description  
Figure 6.  
STM6600 - STM6601  
Block diagram  
VCC  
V
EN (EN)  
LO  
CC  
+
–
+
–
RST  
t
REC  
generator  
V
V
CC  
CC  
PS  
HOLD  
(2)  
(1)  
PB  
V
V
TH–  
TH+  
R
R
SR  
Smart  
logic  
PB  
(3)  
PSHOLD  
Glitch immunity  
Edge detector debounce  
R
INT  
SR  
Glitch immunity  
Edge detector debounce  
V
REF  
GND  
1.5 V  
SRD logic  
C
PB  
SRD  
OUT  
AM00237v3  
1. Internal pull-up resistor connected to PB input (see Table 5 for precise specifications).  
2. Optional internal pull-up resistor connected to SR input (see Table 5 for precise specifications and Table 10 for detailed  
device options).  
3. Internal pull-down resistor is connected to PSHOLD input only during startup (see Figure 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, and 18).  
8/51  
Doc ID 15453 Rev 7  
1...567891011...51

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STM6601BM2BDM6E STMICROELECTRONICS

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