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STK7006P

更新时间: 2024-02-02 00:07:51
品牌 Logo 应用领域
可天士 - KODENSHI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 407K
描述
Power Field-Effect Transistor,

STK7006P 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
雪崩能效等级(Eas):754 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):70 A最大漏源导通电阻:0.016 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):280 A表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STK7006P 数据手册

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STK7006P  
Semiconductor  
Advanced Power MOSFET  
SWITCHING REGURATOR APPLICATIONS  
Features  
High Voltage: BVDSS=60V(Min.)  
Low Crss : Crss=84pF(Typ.)  
Low gate charge : Qg=26.7nC(Typ.)  
Low RDS(on) :RDS(on)=16mΩ(Max.)  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
STK7006P  
STK7006  
TO-220AB-3L  
Outline Dimensions  
unit : mm  
Φ3.90 Max.  
1.17~1.37  
9.80~10.20  
1.17 Min.  
0.88 Max.  
0.43 Max.  
2.54 Typ.  
2.54 Typ.  
1
2
3
PIN Connections  
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
KSD-T0P012-000  
1

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