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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
16页 | 906K | |
描述 | ||
N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 1.69 | 其他特性: | ULTRA LOW-ON RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas): | 125 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 650 V |
最大漏极电流 (ID): | 5.4 A | 最大漏源导通电阻: | 1.3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 21.6 A |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STF6N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、1.2 Ohm典型值、4 A MDmesh M2功率MOSFET,TO- | |
STF6N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET,T | |
STF6N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、0.91 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO | |
STF6N95K5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect | |
STF6NK50Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.93 ohm - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET | |
STF6NK60Z | ETC |
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N-CHANNEL 500V - 0.98 OHM - 5.6A TO-220 / TO-220FP / DPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH%99POWE | |
STF6NK70Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 700V - 1.5ohm - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET | |
STF6NK70Z_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 700V - 1.5Ω - 5A - TO-220/TO-220FP | |
STF6NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-2 | |
STF701 | SEMTECH |
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T-Filter with TVS Diode Array For EMI Filtering and ESD Protection |