ST26025A

更新时间： 2024-11-24 12:26:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
Smart power solutions for car body applications

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ST26025A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	8.62	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.01	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	160 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

Smart power solutions

for car body applications

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6287G	ONSEMI	功能相似	Darlington ComplementarySilicon Power Transistors

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ST2602B	SITRONIX	获取价格	8-bit Integrated Microcontroller
ST2604B	SITRONIX	获取价格	8-bit Integrated Microcontroller
ST2608B	SITRONIX	获取价格	8-bit Integrated Microcontroller
ST-260C	FILTRONIC	获取价格	DOCSIS 2.0 Tracer for DOCSIS 1.0, 1.1, and 2.0 Protocol Analysis
ST260C02C	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1080A I(T)RMS, 550000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 El
ST260C04C	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1080A I(T)RMS, 550000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 El
ST260C06C	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1080A I(T)RMS, 550000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 El
ST260C08C	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1080A I(T)RMS, 550000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El
ST260C16C	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1080A I(T)RMS, 550000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1
ST260S02M	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 260000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Ele