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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BUTTON | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CXDB-X3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.58 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 标称电路换相断开时间： | 25 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 1000 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 600 mA | JEDEC-95代码： | TO-200AB |
| JESD-30 代码： | O-CXDB-X3 | 最大漏电流： | 40 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 5510 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 370000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 700 A | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ST203C12CCJ0L-PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SCR |
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| ST203C12CCJ0P | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 370000mA I(T), 1200V V(DRM) |
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| ST203C12CCJ0PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| ST203C12CCJ1 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 370000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
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| ST203C12CCJ1L | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 370000mA I(T), 1200V V(DRM) |
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| ST203C12CCJ1LPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| ST203C12CCJ1L-PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SCR |
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| ST203C12CCJ1P | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 370000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
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| ST203C12CCJ1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| ST203C12CCJ2 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 370000mA I(T), 1200V V(DRM) |
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