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ST173C10CCJ3PBF

更新时间： 2023-01-03 08:43:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	175K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3

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ST173C10CCJ3PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BUTTON
包装说明：	DISK BUTTON, O-CEDB-N2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	ISOLATED	标称电路换相断开时间：	25 µs
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	600 mA
JEDEC-95代码：	TO-200AB	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	610 A
重复峰值关态漏电流最大值：	40000 µA	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	触发设备类型：	SCR

ST173C10CCJ3PBF 数据手册

Bulletin I25180 rev. B 04/00

ST173C..C SERIES

INVERTER GRADE THYRISTORS

Hockey Puk Version

Features

Metal case with ceramic insulator

International standard case TO-200AB (A-PUK)

All diffused design

330A

Center amplifying gate

Guaranteed high dV/dt

Guaranteed high dI/dt

High surge current capability

Low thermal impedance

High speed performance

TypicalApplications

Inverters

Choppers

case style TO-200AB (A-PUK)

Induction heating

All types of force-commutated converters

Major Ratings and Characteristics

Parameters

I_T(AV)

ST173C..C

330

Units

@ T

°C

I_T(RMS)

610

@ T

°C

I_TSM

@ 50Hz

@ 60Hz

@ 50Hz

@ 60Hz

4680

4900

110

I²t

KA²s

100

V_DRM/V_RRM

1000 to1200

15 to 30

t range

µs

T_J

- 40 to 125

°C

www.irf.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ST173C10CCK0	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E
ST173C10CCK0L	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 330000mA I(T), 1000V V(DRM)
ST173C10CCK0LP	INFINEON	获取价格	INVERTER GRADE THYRISTORS
ST173C10CCK0LPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
ST173C10CCK0P	INFINEON	获取价格	INVERTER GRADE THYRISTORS
ST173C10CCK0PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A
ST173C10CCK1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E
ST173C10CCK1L	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 330000mA I(T), 1000V V(DRM)
ST173C10CCK1LP	INFINEON	获取价格	INVERTER GRADE THYRISTORS
ST173C10CCK1LPBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A