| 是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
| 生命周期: | Active | 包装说明: | DISK BUTTON, O-MEDB-N2 |
| 针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
| HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.08 |
| 配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 200 mA |
| JESD-30 代码: | O-MEDB-N2 | 元件数量: | 1 |
| 端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
| 最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | METAL |
| 封装形状: | ROUND | 封装形式: | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流: | 3080 A | 断态重复峰值电压: | 1800 V |
| 重复峰值反向电压: | 1800 V | 表面贴装: | YES |
| 端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 触发设备类型: | SCR |
| Base Number Matches: | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ST1200C18K2PBF | VISHAY |
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暂无描述 |
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| ST1200C18K2PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, KPUK-2 |
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| ST1200C18K3 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1700000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 |
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| ST1200C18K3 | INFINEON |
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PHASE CONTROL THYRISTORS |
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| ST1200C18K3L | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1700000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 |
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| ST1200C18K3L | INFINEON |
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PHASE CONTROL THYRISTORS |
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| ST1200C18K3LP | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 1650 A |
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| ST1200C18K3LPBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, ROHS C |
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| ST1200C18K3LPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, KPUK-2 |
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| ST1200C18K3PBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, ROHS C |
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