是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | DISK BUTTON, O-MEDB-N2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.08 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 200 mA | JESD-30 代码: | O-MEDB-N2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 3080 A |
断态重复峰值电压: | 2000 V | 重复峰值反向电压: | 2000 V |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ST1200C20K1P | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1650000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 | |
ST1200C20K1PBF | INFINEON |
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暂无描述 | |
ST1200C20K1PBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element, ROHS C | |
ST1200C20K2 | INFINEON |
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PHASE CONTROL THYRISTORS | |
ST1200C20K2 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1700000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 | |
ST1200C20K2L | INFINEON |
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PHASE CONTROL THYRISTORS | |
ST1200C20K2L | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1700000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 | |
ST1200C20K2LP | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 1650 A | |
ST1200C20K2LPBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element, ROHS C | |
ST1200C20K2PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element, ROHS C |