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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> ST1200C12K0L
ST1200C12K0L PDF预览

ST1200C12K0L

更新时间： 2024-01-12 16:24:09
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7页 88K
描述
PHASE CONTROL THYRISTORS

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ST1200C12K0L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：DISK BUTTON, O-MEDB-N2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.12
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：200 mAJESD-30 代码：O-MEDB-N2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：3080 A
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

ST1200C12K0L 数据手册

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ST1200C..K Series  
Bulletin I25196 rev. B 01/00  
130  
130  
120  
110  
100  
90  
ST1200C..K Series  
(Double Side Cooled)  
ST1200C..K Series  
(Double Side Cooled)  
120  
110  
100  
90  
R
(DC) = 0.021 K/W  
R
(DC) = 0.021 K/W  
thJ-hs  
thJ-hs  
Conduction Period  
80  
Conduction Angle  
80  
70  
70  
60  
30°  
60  
60°  
50  
30°  
90°  
50  
120°  
60°  
40  
90°  
120°  
180°  
40  
30  
180°  
D C  
30  
20  
0
400  
800  
1200 1600 2000  
0
600 1200 1800 2400 3000 3600  
AverageOn-stateCurrent(A)  
AverageOn-stateCurrent(A)  
Fig. 3 - Current Ratings Characteristics  
Fig. 4 - Current Ratings Characteristics  
4000  
3500  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
180°  
120°  
90°  
60°  
30°  
D C  
180°  
120°  
90°  
60°  
30°  
RMS Limit  
RMS Limit  
Conduction Period  
Conduction Angle  
ST1200C..K Series  
ST1200C..K Series  
T
= 125°C  
J
T
= 125°C  
J
0
0
400  
800  
1200 1600 2000  
0
600 1200 1800 2400 3000 3600  
AverageOn-stateCurrent(A)  
AverageOn-stateCurrent(A)  
Fig. 5- On-state Power Loss Characteristics  
Fig. 6- On-state Power Loss Characteristics  
28000  
26000  
24000  
22000  
20000  
32000  
30000  
28000  
26000  
24000  
22000  
20000  
18000  
16000  
14000  
12000  
At Any Rated Load Condition And With  
Maximum Non Repetitive Surge Current  
Versus Pulse Train Duration. Control  
Of Conduction May Not Be Maintained.  
Rated  
V
Applied Following Surge.  
R R M  
Initial  
T = 125°C  
J
Initial  
T
=
125°C  
J
@
@
60 Hz 0.0083  
50 Hz 0.0100  
s
s
No Voltage Reapplied  
Rated  
V
Reapplied  
R R M  
18000  
16000  
14000  
12000  
ST1200C..K Series  
10  
ST1200C..K Series  
0.1  
1
100  
0.01  
1
Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)  
Pulse Train Duration (s)  
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current  
Single and Double Side Cooled  
Fig. 8 - Maximum Non-Repetitive Surge Current  
Single and Double Side Cooled  
6
www.irf.com  
1...34567

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与ST1200C12K0L相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
ST1200C12K0LP VISHAY Phase Control Thyristors (Stud Version), 1650 A

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ST1200C12K0LPBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, ROHS C

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