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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | DISK BUTTON, O-MEDB-N2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.08 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 标称电路换相断开时间： | 200 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 500 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 600 mA | JESD-30 代码： | O-MEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 3080 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 100000 µA | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| ST1200C12K1L | INFINEON | PHASE CONTROL THYRISTORS |
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| ST1200C12K1L | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1700000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 |
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| ST1200C12K1LP | VISHAY | Phase Control Thyristors (Stud Version), 1650 A |
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| ST1200C12K1LPBF | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, ROHS C |
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| ST1200C12K1LPBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, KPUK-2 |
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| ST1200C12K1P | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1650000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 |
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