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ST083S08PDP0LPBF

更新时间： 2023-03-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	302K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

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ST083S08PDP0LPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	其他特性：	HIGH SPEED
标称电路换相断开时间：	18 µs	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	200 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
最大维持电流：	600 mA	JEDEC-95代码：	TO-209AC
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	135 A	重复峰值关态漏电流最大值：	30000 µA
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
触发设备类型：	SCR

ST083S08PDP0LPBF 数据手册

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与ST083S08PDP0LPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ST083S08PDP0PBF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC
ST083S08PDP1	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC
ST083S08PDP1L	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC
ST083S08PEK0L	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC
ST083S08PEK1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC
ST083S08PEK1PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC
ST083S08PEK2	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD
ST083S08PEK2L	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD
ST083S08PEK2PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD
ST083S08PEL0	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

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