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ST083S04PFM1

更新时间： 2024-02-20 04:23:59
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其他 - ETC 栅极
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9页 129K
描述
THYRISTOR 135A FAST

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ST083S04PFM1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.59其他特性：HIGH SPEED
标称电路换相断开时间：12 µs配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：200 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：600 mAJEDEC-95代码：TO-209AC
JESD-30 代码：O-MUPM-H3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：135 A重复峰值关态漏电流最大值：30000 µA
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：NO端子形式：HIGH CURRENT CABLE
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

ST083S04PFM1 数据手册

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ST083S Series  
Bulletin I25185 rev. B 03/94  
1E4  
1E3  
Snub b e r c irc u it  
Snub b e r c irc uit  
R
C
V
s
= 22 ohm s  
= 0.15 µF  
= 80% V  
R
C
V
= 22 o hm s  
= 0.15 µF  
= 80% V  
s
s
s
D
D
DRM  
DRM  
100 50 Hz  
200  
400  
1000 500  
1500  
2000  
50 Hz  
200 100  
400  
1000  
500  
1500  
2000  
2500  
3000  
1E2  
2500  
3000  
ST083S Se rie s  
Sinuso id a l p ulse  
ST083S Se rie s  
Sinuso id a l p ulse  
T = 85°C  
tp  
T
= 60°C  
C
tp  
C
1E1  
1E1  
11  
E1  
1E2  
1E3  
1E4  
1E2  
1E3  
1E1E44  
Pulse Ba se wid th (µs)  
Pulse Ba se wid th (µs)  
Fig. 11 - Frequency Characteristics  
1E4  
ST083S Se rie s  
Tra p e zo id a l p ulse  
= 85°C  
Snu b b e r c irc uit  
Snub b e r c irc uit  
R
C
V
= 22 o hm s  
= 0.15 µF  
= 80% V  
R
C
V
= 22 o hm s  
= 0.15 µF  
= 80% V  
s
s
T
C
s
s
D
tp  
d i/d t = 50A/µs  
D
DRM  
DRM  
1E3  
1E2  
1E1  
50 Hz  
100  
200  
400  
500  
200 100  
50 Hz  
1000  
400  
500  
1500  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
ST083S Se rie s  
Tra p e zoid a l p ulse  
2000  
2500  
T
= 60°C  
C
tp  
d i/d t = 50A/µs  
1E1  
1E2  
1E3  
1E
4
1E1  
1
1E2  
1E3  
1E4  
Pulse Ba se wid th (µs)  
Pulse Ba se wid th (µs)  
Fig. 12 - Frequency Characteristics  
1E4  
1E3  
1E2  
1E1  
ST083S Se rie s  
Tra p e zoid a l p ulse  
= 85°C  
Sn ub b e r c irc uit  
Snub b e r c irc uit  
R
= 22 o hm s  
s
R
C
V
= 22 oh m s  
= 0.15 µF  
= 80% V  
DRM  
s
T
C
s
= 0.15 µF  
s
C
tp  
V
= 80% V  
D
DRM  
d i/d t = 100A/µs  
D
50 Hz  
100  
200  
400  
500  
50 Hz  
1000  
200  
100  
400  
500  
1500  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
ST083S Se rie s  
Tra p e zo id a l p ulse  
2000  
T
= 60°C  
C
2500  
tp  
d i/d t = 100A/µs  
1E1  
1E2  
1E3  
1E
4
1
1
E1  
1E2  
1E3  
1E4  
Pulse Ba se w id th (µs)  
Pulse Ba se wid th (µs)  
Fig. 13 - Frequency Characteristics  
8
www.irf.com  
1...56789

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