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ST083S04PFM1

更新时间: 2024-02-02 08:42:34
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其他 - ETC 栅极
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9页 129K
描述
THYRISTOR 135A FAST

ST083S04PFM1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.59其他特性:HIGH SPEED
标称电路换相断开时间:12 µs配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:200 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:600 mAJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:135 A重复峰值关态漏电流最大值:30000 µA
断态重复峰值电压:400 V重复峰值反向电压:400 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:40
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

ST083S04PFM1 数据手册

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ST083S Series  
Bulletin I25185 rev. B 03/94  
1E4  
1E3  
1E2  
1E1  
ST083S Se rie s  
Re c ta n gula r p ulse  
20 jo ule s p e r p ulse  
d i/d t = 50A/µs  
tp  
10  
5
20 joule s p e r p u lse  
7.5  
3
2
1
4
0.5  
2
0.3  
1
0.2  
0.1  
0.5  
0.3  
0.2  
0.1  
ST083S Se rie s  
Sinusoid a l p ulse  
tp  
1E1  
1E4
1E2  
1E3  
1E4  
1E1  
1E2  
1E3  
Pulse Ba se wid th (µs)  
Pulse Ba se wid th (µs)  
Fig. 14 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics  
100  
10  
1
Re c ta n gula r g a te p ulse  
(1) PGM = 10W, tp = 20ms  
(2) PGM = 20W, tp = 10ms  
(3) PGM = 40W, tp = 5ms  
(4) PGM = 60W, tp = 3.3m s  
a ) Re c om me nd e d loa d line fo r  
ra te d d i/ d t : 20V, 10ohms; tr<=1 µs  
b ) Re c omm e nd e d lo a d lin e for  
<=30% ra te d d i/ dt : 10V, 10o hms  
tr<=1 µs  
(a )  
(b )  
(2) (3) (4)  
(1)  
VGD  
IGD  
De vic e : ST083S Se rie s  
Fre q ue nc y Lim ite d by PG(AV)  
0.1  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
Insta nta ne ous Ga te Curre n t (A)  
Fig. 15 - Gate Characteristics  
9
www.irf.com  

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