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SST6838_05

更新时间： 2024-11-15 09:03:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 74K
描述
NPN general purpose transistor

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SST6838_05 数据手册

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SST6838  
Transistors  
NPN general purpose transistor  
SST6838  
zFeatures  
1) BVCEO minimum is 40V (I  
2) Complements the SST6839.  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
C
= 1mA)  
SST6838  
2.9  
±
0.2  
+0.2  
0.95  
−
0.1  
1.9±  
0.2  
0.45±  
0.1  
0.95 0.95  
(2)  
(1)  
zPackage, marking and packaging specifications  
0~0.1  
Part No.  
Pacaging type  
Marking  
SST6838  
SST3  
RBR  
0.2Min.  
(3)  
All terminals have  
the same dimensions  
0.15  
+0.1  
0.06  
(1) Emitter  
(2) Base  
+0.1  
−
0.4  
−
0.05  
T116  
Code  
(3) Collector  
ROHM : SST3  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
40  
V
5
0.2  
V
I
C
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
0.2  
W
°C  
°C  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
BVCBO  
BVCEO  
50  
40  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
0.5  
5
V
V
I
I
C
=10µA  
=1mA  
(Ta= −40°C to +125°C)  
(Ta= −40°C to +125°C)  
(Ta=85°C)  
C
V
V
V
V
CB=30V  
CB=30V  
EB=4V  
EB=4V  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
ICBO  
µA  
µA  
(Ta=125°C)  
(Ta=85°C)  
(Ta=125°C)  
0.5  
5
I
EBO  
−
−
−
−
−
200  
−
−
−
−
−
−
−
−
180  
2
0.4  
0.5  
0.7  
−
800  
1000  
−
−
3.5  
−
I
I
I
C
C
C
/I  
/I  
/I  
B
B
B
=50mA/5mA  
=10mA/0.2mA  
=10mA/0.2mA  
(Ta=25°C)  
(Ta=85°C)  
(Ta=125°C)  
(Ta= −40°C to +25°C)  
(Ta=85°C)  
(Ta=125°C)  
(Ta= −40°C to +25°C)  
(Ta=25°C)  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
CE(sat)  
V
V
V
V
V
CE/I  
CE/I  
CE/I  
CE/I  
C=5V/1mA  
C=5V/1mA  
C=5V/1mA  
C=5V/10mA  
h
FE1  
FE2  
−
−
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
h
150  
50  
−
−
MHz  
pF  
f
T
V
V
V
CE=12V , I =2mA , f=100MHz  
CB=12V , f=1MHz  
EB=0.5V , f=1MHz  
C
Collector output capacitance  
Emitter input capacitance  
Cob  
Cib  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
−
17  
pF  
Rev.A  
1/3  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST6838T117 ROHM

获取价格

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SST6838T216 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
SST6839 ROHM

获取价格

 		PNP General Purpose Tranisitor
SST6839_05 ROHM

获取价格

 		PNP general purpose transistor
SST6839T116 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SST3, 3
SST6839T216 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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