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SST4393

更新时间： 2024-01-23 10:53:56

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凌特 - Linear		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	149K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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SST4393 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.3
配置：	SINGLE	最大漏源导通电阻：	100 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	3.5 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SST4393 数据手册

2N/PN/SST4391

SERIES

SINGLE N-CHANNEL JFET SWITCH

Linear Integrated Systems

FEATURES

Replacement for Siliconix 2N/PN/SST4391, 4292, & 4393

LOW ON RESISTANCE

FAST SWITCHING

r_DS(on)≤ 30Ω

t_ON≤ 15ns

2N SERIES

PN SERIES SST SERIES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS¹

@ 25 °C (unless otherwise stated)

Maximum Temperatures

TO-18

TO-92

SOT-23

BOTTOM VIEW

TOP VIEW

Storage Temperature (2N)

-65 to 200°C

-55 to 150°C

-55 to 200°C

-55 to 150°C

Storage Temperature (PN/SST)

Junction Operating Temperature (2N)

Junction Operating Temperature (PN/SST)

Maximum Power Dissipation

Continuous Power Dissipation (2N)

Continuous Power Dissipation (PN/SST)

Maximum Currents

1800mW

350mW

Gate Current

50mA

Maximum Voltages

Gate to Drain or Source (2N/PN)

Gate to Drain or Source (SST)

-40V

-35V

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @25 °C (unless otherwise stated)

4391

4392

4393

SYM.

CHARACTERISTIC

TYP

UNIT CONDITIONS

MIN MAX MIN MAX MIN MAX

2N/PN

SST

2N/PN

SST

-40

-35

-4

-40

-35

-2

-40

-35

-0.5

Gate to Source

BV_GSS

I_G= -1µA, V_DS= 0V

Breakdown Voltage

-10

-5

-3

V_DS= 20V, I_D= 1nA

V_DS= 15V, I_D= 10nA

I_G= 1mA, V_DS= 0V

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_GS= 0V, I_D= 6mA

V_GS= 0V, I_D= 12mA

Gate to Source

Cutoff Voltage

V_GS(off)

V_GS(F)

-4

-2

Gate to Source Forward Voltage

0.7

0.25

0.3

0.4

V_DS(on)Drain to Source On Voltage

0.4

0.35

0.4

150

100

SST

2N/SST

100

Drain to Source

I_DSS

V_DS= 20V, V_GS= 0V

Saturation Current²

-5

-100

-1000

-100

-1000

-100

-1000

I_GSS

I_G

Gate Leakage Current

Gate Operating Current

V_GS= -20V, V_DS= 0V

V_DG= 15V, I_D= 10mA

Linear Integrated Systems • 4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261

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