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SST39LF010-45-4C-WHE-T

更新时间： 2024-12-01 15:52:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 441K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,128KX8,CMOS,TSSOP,32PIN,PLASTIC

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SST39LF010-45-4C-WHE-T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSSOP, TSSOP32,.56,20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.82
最长访问时间：45 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：3部门数/规模：32
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP32,.56,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified部门规模：4K
最大待机电流：0.000015 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：YES类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

SST39LF010-45-4C-WHE-T 数据手册

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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash  
SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040  
SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040  
A Microchip Technology Company  
Data Sheet  
The SST39LF010, SST39LF020, SST39LF040 and SST39VF010, SST39VF020,  
SST39VF040 are 128K x8, 256K x8 and 5124K x8 CMOS Multi-Purpose Flash  
(MPF) manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash  
technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain bet-  
ter reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The  
SST39LF010/020/040 devices write (Program or Erase) with a 3.0-3.6V power  
supply. The SST39VF010/020/040 devices write with a 2.7-3.6V power supply.  
The devices conform to JEDEC standard pinouts for x8 memories.  
Features  
• Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8  
• Fast Erase and Byte-Program:  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µs (typical)  
– Chip Rewrite Time:  
2 seconds (typical) for SST39LF/VF010  
4 seconds (typical) for SST39LF/VF020  
8 seconds (typical) for SST39LF/VF040  
• Single Voltage Read and Write Operations  
– 3.0-3.6V for SST39LF010/020/040  
– 2.7-3.6V for SST39VF010/020/040  
• Superior Reliability  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
• Automatic Write Timing  
• Low Power Consumption  
(typical values at 14 MHz)  
– Internal VPP Generation  
– Active Current: 5 mA (typical)  
• End-of-Write Detection  
– Standby Current: 1 µA (typical)  
– Toggle Bit  
– Data# Polling  
• Sector-Erase Capability  
– Uniform 4 KByte sectors  
• CMOS I/O Compatibility  
• Fast Read Access Time:  
• JEDEC Standard  
– 45 ns for SST39LF010/020/040  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
– 55 ns for SST39LF020/040  
– 70 ns for SST39VF010/020/040  
• Packages Available  
– 32-lead PLCC  
• Latched Address and Data  
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)  
– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)  
– 34-ball WFBGA (4mm x 6mm) for 1M and 2M  
• All devices are RoHS compliant  
www.microchip.com  
©2011 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25023A  
08/11  
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与SST39LF010-45-4C-WHE-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST39LF010-45-4C-WK SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39LF010-45-4C-WKE SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
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