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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.21 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2.5 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST31LF021 | SST |
获取价格 |
2 Mbit Flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory |
|
| SST31LF021_07 | SST |
获取价格 |
2 Mbit Flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory |
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| SST31LF021-300-4C-WH | SST |
获取价格 |
2 Mbit Flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory |
|
| SST31LF021-300-4E-WH | SST |
获取价格 |
2 Mbit Flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory |
|
| SST31LF021-70-4C-WH | SST |
获取价格 |
2 Mbit Flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory |
|
| SST31LF021-70-4C-WHE | SILICON |
获取价格 |
Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, MO-142BA, TSOP1-32 |
|
| SST31LF021-70-4E-WH | SST |
获取价格 |
2 Mbit Flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory |
|
| SST31LF021E | SST |
获取价格 |
2 Mbit Flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory |
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| SST31LF021E-300-4C-KH | SILICON |
获取价格 |
Memory Circuit, Flash+SRAM, CMOS, PDSO32 |
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| SST31LF021E-300-4C-WH | SST |
获取价格 |
2 Mbit Flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory |
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