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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SSI7N60BTU
SSI7N60BTU PDF预览

SSI7N60BTU

更新时间： 2024-11-28 13:14:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 657K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3

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SSI7N60BTU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：I2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
雪崩能效等级（Eas）：420 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：147 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSI7N60BTU 数据手册

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November 2001  
SSW7N60B / SSI7N60B  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
7.0A, 600V, R  
= 1.2Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 38 nC)  
Low Crss ( typical 23 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
!
#
"
!
!
!
G
D2-PAK  
SSW Series  
I2-PAK  
SSI Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
SSW7N60B / SSI7N60B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
7.0  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
4.4  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
28  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
420  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
7.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
14.7  
5.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
147  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.18  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
stg  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8! from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
0.85  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
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SSI7N60BTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STI13NM60N STMICROELECTRONICS

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 N-channel 600 V, 0.28 ohm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I2PAK, TO-220, IP
STB13NK60Z-1 STMICROELECTRONICS

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