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SS3P6-HE3/85A

更新时间： 2024-11-20 21:08:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 91K
描述
3A, 60V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMP, 2 PIN

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SS3P6-HE3/85A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-220AA包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.67其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, HIGH RELIABILITY
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-220AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：45 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SS3P6-HE3/85A 数据手册

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SS3P5 & SS3P6  
Vishay General Semiconductor  
New Product  
High-Current Density Surface Mount Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Very low profile - typical height of 1.0 mm  
• Ideal for automated placement  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency  
• Low thermal resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak  
of 260 °C  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
DO-220AA (SMP)  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters, free-  
wheeling, dc-to-dc converters and polarity protection  
applications.  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
3.0 A  
50 V, 60 V  
45 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-220AA (SMP)  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
VRRM  
IFSM  
EAS  
11.25 mJ  
0.61 V  
VF at IF = 3.0 A  
Tj max.  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
150 °C  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
SS3P5  
35  
SS3P6  
36  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (see Fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
50  
60  
V
A
3.0  
45  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Non-repetitive avalanche energy  
at IAS = 1.5 A, L = 10 mH, Tj = 25 °C  
EAS  
11.25  
mJ  
Voltage rate of change (rated VR)  
dv/dt  
10000  
V/us  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
T
J, TSTG  
- 55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
TYP  
MAX.  
UNIT  
at IF = 3 A, Tj = 25 °C  
at IF = 3 A, Tj = 125 °C  
0.71  
0.61  
0.78  
0.65  
Maximum instantaneous forward voltage (1)  
VF  
V
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
-
100  
10  
µA  
mA  
(1)  
Maximum reverse current at rated VR  
IR  
2.0  
Typical junction capacitance  
at 4.0 V, 1 MHz  
CJ  
80  
pF  
Note:  
(1) Pulse test: 300 µs pulse width, 1 % duty cycle  
Document Number 88997  
03-Aug-06  
www.vishay.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS3P6HM3/84A VISHAY

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 		DIODE 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS
SS3P6HM3/85A VISHAY

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 		DIODE 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS
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