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SS29HE3/5BT PDF预览

SS29HE3/5BT

更新时间： 2024-11-20 20:04:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
DIODE 1.5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN, Rectifier Diode

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SS29HE3/5BT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.3
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.43 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：75 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：90 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SS29HE3/5BT 数据手册

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SS29, SS210  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
High-Voltage Surface Mount Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• AEC-Q101 qualified  
DO-214AA (SMB)  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AA (SMB)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
1.5 A  
90 V, 100 V  
75 A  
VF  
0.71 V  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
TJ max.  
150 °C  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SS29  
S9  
SS210  
S10  
100  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
90  
V
V
V
A
63  
70  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
90  
100  
IF(AV)  
1.5  
75  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2 μs, 1 kHz  
Voltage rate of change (rated VR)  
IRRM  
dV/dt  
1.0  
A
10 000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Revision: 27-Mar-12  
Document Number: 88749  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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SS29HE3/5BT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SS29HE3/52T VISHAY

完全替代

 DIODE 1.5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

与SS29HE3/5BT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS29-HE3/5BT VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
SS29HE3_A/H VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS C
SS29L TSC

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 		2.0 AMPS. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS2A EIC

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SS2A JINANJINGHENG

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