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SS110

更新时间： 2024-01-22 13:36:04
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2页 160K
描述
1.0 AMP. Surface Mount Schotty Barrier Rectifiers

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SS110 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：6.95
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

SS110 数据手册

 浏览型号SS110的Datasheet PDF文件第2页 
SS12 - SS110  
1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers  
SMA/DO-214AC  
D A Y A  
- TDD-  
Features  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
For surface mounted application  
Easy pick and place  
Metal to silicon rectifier, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
High current capability, low VF  
High surge current capability  
Plastic material used carriers Underwriters  
Laboratory Classification 94V-0  
Epitaxial construction  
ꢀ
ꢀ
High temperature soldering:  
260oC / 10 seconds at terminals  
ꢀ
High reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Mechanical Data  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case: JEDEC SMA/DO-214AC Molded plastic  
Terminals: Pure tin plated, lead free  
Polarity: Indicated by cathode band  
Packaging: 12mm tape per EIA STD RS-481  
Weight: 0.066 gram  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
Symbol SS SS SS SS SS SS  
SS  
Type Number  
Units  
110  
12  
20  
14  
20  
13  
30  
21  
30  
14  
40  
28  
40  
15  
50  
35  
50  
16  
60  
42  
60  
19  
90  
63  
90  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
100  
70  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
at TL(See Fig. 1)  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single  
Half Sine-wave Superimposed on Rated  
Load (JEDEC method )  
1.0  
30  
A
I(AV)  
A
IFSM  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
(Note 1)  
IF= 1.0A @ 25oC  
@ 100oC  
0.5  
0.4  
0.75  
0.65  
0.80  
0.70  
0.1  
2.0  
VF  
IR  
V
Maximum DC Reverse Current  
@ TA =25 oC at  
0.4  
mA  
mA  
Rated DC Blocking Voltage @ TA=125 oC  
10  
5.0  
Maximum DC Reverse Current at VR=33V  
& TA=50 oC  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
-
5.0  
uA  
pF  
HTIR  
Cj  
50  
Typical Thermal Resistance ( Note 2 )  
R
28  
88  
oC/W  
ΘJL  
R
θJA  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-65 to +125  
-65 to +150  
-65 to +150  
oC  
oC  
TSTG  
Notes:  
1. Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle  
2. Measured on P.C.Board with 0.2” x 0.2” (5.0mm x 5.0mm) Copper Pad Areas.  
3. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.  
Factory Address: Taiguan Industrial zone, Yanjinyu Dongjin Rode No.1, XinXiang, HeNan, China  
12

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