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SS10P2CL-E3/86A

更新时间： 2024-11-28 19:58:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 106K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 5A, 20V V(RRM),

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SS10P2CL-E3/86A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.41
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.42 V
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A最高工作温度：150 °C
最大输出电流：5 A最大重复峰值反向电压：20 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

SS10P2CL-E3/86A 数据手册

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New Product  
SS10P2CL & SS10P3CL  
Vishay General Semiconductor  
High Current Density Surface Mount  
Dual Common-Cathode Schottky Rectifiers  
FEATURES  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
eSMPTM Series  
• Ideal for automated placement  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
K
• High efficiency  
1
• Low thermal resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
2
TO-277A (SMPC)  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Anode 1  
K
Cathode  
Anode 2  
• Halogen-free  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-277A (SMPC)  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 5.0 A  
Molding compound meets UL 94V-0 flammability  
rating.  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/  
automotive grade (AEC-Q101 qualified)  
VRRM  
20 V, 30 V  
200 A  
IFSM  
EAS  
20 mJ  
VF at IF = 5 A  
TJ max.  
0.338 V  
150 °C  
Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,  
commercial grade  
Base P/NHM3 - halogen-free and RoHS compliant,  
high reliability/automotive grade (AEC-Q101 qualified)  
TYPICAL APPLICATIONS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker  
test, HE3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2  
whisker test  
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc  
converters and polarity protection applications.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
SS10P2CL  
S102CL  
20  
SS10P3CL  
S103CL  
30  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
total device  
per diode  
10  
5.0  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave superimposed  
on rated load per diode  
IFSM  
200  
20  
A
Non-repetitive avalanche energy at 25 °C, IAS = 2 A per diode  
Operating junction and storage temperature range  
EAS  
mJ  
°C  
T
J, TSTG  
- 55 to + 150  
Document Number: 89036  
Revision: 30-Jul-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS10P2CL-E3/87A VISHAY

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 		暂无描述
SS10P2CL-G3/86A VISHAY

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 		DIODE 5 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier
SS10P2CL-G3/87A VISHAY

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 		DIODE 5 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier
SS10P2CLHE3/86A VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 5A, 20V V(RRM),
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 		DIODE 5 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAST
SS10P2CLHM3/87A VISHAY

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 		DIODE 5 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAST
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