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SRAF1660HC0

更新时间： 2024-01-18 09:44:00
品牌 Logo 应用领域
TSC 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 215K
描述
Isolated Schottky Barrier Rectifiers

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SRAF1660HC0 技术参数

生命周期：Active包装说明：ITO-220AC, 3/2 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
其他特性：LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：275 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：16 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

SRAF1660HC0 数据手册

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SRAF1620 thru SRAF16100  
Taiwan Semiconductor  
CREAT BY ART  
Isolated Schottky Barrier Rectifiers  
FEATURES  
- Low power loss, high efficiency  
- Guardring for overvoltage protection  
- High surge current capability  
- UL Recognized File # E-326243  
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and  
in accordance to WEEE 2002/96/EC  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
MECHANICAL DATA  
ITO-220AC  
Case: ITO-220AC  
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0  
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free  
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified  
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102  
Meet JESD 201 class 1A whisker test,  
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: As marked  
Mounting torque: 5 in-lbs maximum  
Weight: 1.7 g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
SRAF SRAF SRAF SRAF SRAF SRAF SRAF  
1620 1630 1640 1650 1660 1690 16100  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
16  
60  
42  
60  
90  
63  
90  
100  
V
V
V
A
70  
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
Peak forward surge current, 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
275  
A
V
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)  
IF= 16 A  
VF  
0.55  
15  
0.70  
10  
0.92  
0.5  
-
0.1  
-
Maximum reverse current @ Rated VR TJ=25 ℃  
IR  
TJ=100℃  
TJ=125 ℃  
mA  
5.0  
Voltage rate of change (Rated VR)  
Typical thermal resistance  
10000  
4
dV/dt  
RθJC  
TJ  
V/μs  
OC/W  
OC  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 to +125  
- 55 to +150  
OC  
TSTG  
- 55 to +150  
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle  
Document Number: DS_D1309012  
Version: H13  
1234

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