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SR3200K-C

更新时间： 2024-01-17 17:55:52

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RECTRON		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	87K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DPAK-3/2

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技术参数
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SR3200K-C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DPAK-3/2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.65	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.85 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向电流：	200 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SR3200K-C 数据手册

RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( SR320K THRU SR3200K )

3.0

2.5

2.0

= 125 ^OC

1.0

= 75 ^OC

= 25 ^OC

1.5

1.0

0.5

0.1

Single Phase Half Wave

60Hz Inductive or

0.01

SR320K~SR340K

Resistive Load

SR350K~SR360K

SR380K~SR3200K

0.375" (9.5mm) Lead Length

0.001

100

120

140

100

150

LEAD TEMPERATURE, (^OC)

FIG.1 TYPICAL FORWARD CURRENT

DERATING CURVE

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)

FIG.2 TYPICAL REVERSE

CHARACTERISTICS

400

200

= 25 ^OC

SR320K~SR340K

SR350K~SR360K

100

SR380K~SR3200K

1.0

0.1

= 25 ^OC

Pulse width=300ꢀS

1% Duty Cycle

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

0.1

0.4

1.0

80100

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)

REVERSE VOLTAGE, (V)

FIG.3 TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD

CHARACTERISTICS

FIG.4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

120

8.3mS Single Half Sine-Wave

JEDEC Method

100

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

FIG.5 MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD

SURGE CURRENT

123 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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SR3200-T3	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA, PLASTIC	获取价格
SR3200-TP	MCC	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS CO	获取价格